西电新闻网讯（通讯员 张哲）5月17日至21日，第七届APWS国际会议（Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors）在韩国首尔召开。西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院博士生祝杰杰，以及宽带隙半导体技术国家重点学科实验室博士生朱家铎和肖明3人，应APWS 2015组委会的邀请参加了此次会议。

据了解，APWS国际会议是亚太地区宽禁带半导体领域的重要会议，本次会议由韩国半导体照明协会主办，吸引了来自韩国、中国（大陆、台湾、及香港地区）、日本、及欧美地区的近200位宽禁带领域的专家学者。与会者围绕氮化物材料生长与表征技术、氮化物电子与光电器件应用、氧化锌半导体技术等话题进行了交流。

西安电子科技大学氮化镓半导体技术研究团队共有8篇论文被本次大会论文集收录，参会的三位博士生以大会报告和海报形式展示了本课题组的研究成果，并就感兴趣的方向与国内外学者进行深入交流。

会上，祝杰杰作了题为“基于PEALD沉积AlN和原位等离子体预处理技术的高性能AlGaN/GaN MIS-HEMT器件”的报告，并与来自韩国、台湾地区的多位学者进行了互动交流。介质/氮化物半导体界面问题是制约GaN基MIS-HEMT器件性能提升和应用推广的重要因素，本成果采用原位表面预处理工艺和AlN介质层大大改善了界面和沟道输运特性，目前相关成果已公开发表在IEEE Transactions on Electron Devices。