纳米尺度材料专家邹进教授访问西电开展学术交流

讲述“催化剂对外延Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线生长的影响”

西电新闻网讯（通讯员张晨旭）应西安电子科技大学微电子学院郭辉副教授邀请，6月2日下午，澳洲昆士兰州格里菲斯大学Mechanical and Mining Engineering学院、Microscopy and Microanalysis中心教授邹进在北校区东大楼报告厅为广大师生做了一场题为“催化剂对外延Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线生长的影响(Impact of catalysts in the growth of epitaxial III-V semiconductor nanowires)”的学术报告。报告会由微电子学院院长张玉明主持，微电子学院汤晓燕教授、吕红亮教授、韩根全教授以及部分老师和研究生参加了此次报告。

报告会开始，邹进教授首先从纳米线基本概念入手，结合纳米线生长过程中常见的晶向分布、衬底及催化剂对纳米线生长方向的调控，逐步讲解了一些相关的研究成果。接下来，邹教授阐述了十几年来的研究路线，从最早的III-V族化合物纳米线生长，通过CVD或MBE方法，在硅衬底上面生长出宽度仅有几十纳米的线，通过扫描电子显微镜的观察，发现纳米线的生长方向与衬底晶向以及偏角有着强烈的依赖关系，经过大量的实验，掌握了这种两者之间的内在联系。然后再在生长过程中加入Au、Ni等催化金属，对纳米线的生长方向进行人为控制，最终生长出走向高度一致的纳米线，其大量成果发表在Nano Letter、Applied Materials等国际顶级期刊上。

虽然报告会只有短短的一小时，但邹进教授由浅入深，详细清晰的介绍了目前国际最前沿的研究成果，并展望了未来纳米线研究领域的趋势。 

最后是提问互动环节，邹教授与在场师生积极互动，耐心细致地答疑解惑。邹教授和蔼可亲的人格魅力给在场师生留下了深刻印象，同学们纷纷表示收获颇丰。

此次报告不仅让大家了解到纳米线生长分析领域的相关学术知识，同时也拓宽了大家的视野，了解到国际中的一些新型研究和近期发展，让大家切实感受到电子显微镜技术对材料科学研究过程中重要作用，大大激发了大家的科研兴趣。

人物简介：

邹进博士出生于1959年，1982年毕业于北京科技大学，1985年获得北京科技大学金属物理硕士学位，1994年获得澳大利亚悉尼大学材料物理学博士学位。现为澳洲昆士兰州格里菲斯大学Mechanical and Mining Engineering学院、Microscopy and Microanalysis中心教授，澳大利亚全澳华人专家学者联合会副会长，郭可信基金会会长。邹进教授一直致力于先进智能和纳米尺度材料的精细结构和这些材料基本性质的研究，通过电子显微分析研究材料的精细结构演变与宏观表象性质的关联性方面深入解析纳米材料的基本性质。在纳米材料研究和精细结构表征方面取得了突出成就。邹进教授目前的研究方向包括：半导体纳米结构（量子点，纳米线，纳米带，超簿纳米片）的形成机理及其物理，化学，电学和力学性能的研究；先进功能纳米材料的形成及其高端应用，尤其在能源，环保和医疗中的应用；固体材料的界面研究。邹进教授在SCI刊物上已发表学术论文560多篇，其多数论文发表在国际知名刊物上并被引用一万两千多次，其H因子为54。邹进教授主持或参与了20多项澳大利亚国家及昆士兰州政府的科研项目，获研究经费近两千万澳元。在过去的十年里，邹教授一直与中国、美国、日本、英国和韩国的许多知名科学家一直保持密切的学术交流和合作。